Grade 12
Second Term
Third Term
Grade 13
Grade
13
පාඩම 6.1 – කූලොම්බ් නියමය
පදනම (Q1–5)
කූලොම්බ් නියමය state කරන්න.
q නියෝජනය කරන්නේ කුමක්ද?
විද්යුත්ස්ථතික බලය ආකර්ෂණීයද? විදුරුම්ද? දෙකමද?
බින්දු ආරෝපණ 2ක් අතර බලය සඳහා සූත්රය ලියන්න.
ආරෝපණයේ SI ඒකකය කුමක්ද?
අතරමැදි (Q6–10)
+3 C සහ +2 C ආරෝපණ 4 m දුරින්. බලය සොයන්න.
ආරෝපණ අතර දුර දෙගුණ වූ විට බලයට මොනවා සිදුවේද?
මාධ්යයේ ස්වභාවය බලය මත බලපාන්නේ කෙසේද?
ආපේක්ෂිතතාවය (Permittivity) සහ ε₀ අර්ථ දක්වන්න.
එක්සම්මත සම්බන්ධතාවය (Direct proportionality) හා ප්රතිවර්ග සම්බන්ධතාවය (Inverse-square) අතර වෙනස.
උසස් (Q11–15)
කූලොම්බ් නියමයේ දෛශික හැඩය ව්යුත්පන්න කරන්න.
කූලොම්බ් බලය සහ ගුරුත්වාකර්ෂණ බලය සසඳන්න.
ආරෝපණ 3ක් ඇති පද්ධතියක එක් ආරෝපණයක මත සම්පූර්ණ බලය සොයන්න.
ඩයලෙක්ට්රික් අගය වැඩීමෙන් බලය අඩුවෙන්නේ ඇයි?
කූලොම්බ් නියමයේ සීමාවන් (Limitations) පැහැදිලි කරන්න.
පාඩම 6.2 – විද්යුත් ක්ෂේත්රය හා ක්ෂේත්ර තීව්රතාව
පදනම (Q1–5)
විද්යුත් ක්ෂේත ්රය යනු කුමක්ද?
ක්ෂේත්ර තීව්රතාවය (E) යනු කුමක්ද?
E = F/q සූත්රය state කරන්න.
ධන ආරෝපණයක් සඳහා ක්ෂේත්ර රේඛා අඳින්න.
E ට SI ඒකකය කුමක්ද?
අතරමැදි (Q6–10)
Q ආරෝ පණයෙන් r දුරේ E සොයන්න.
සමාන්ය (Uniform) හා අසමාන්ය (Non-uniform) ක්ෂේත්ර අතර වෙනස.
විද්යුත් ක්ෂේත්ර රේඛා හමු නොවන්නේ ඇයි?
ඩයිපෝලයක් සඳහා ක්ෂේත්ර රටාව අඳින්න.
+Q සහ –Q අතර මැදින් E සොයන්න.
උසස් (Q11–15)
E = kQ/r² සූත්රය ව්යුත්පන්න කරන්න.
බහු ආරෝපණ ඇති පද්ධතියක E-field එකතු කරන්න.
විභව–ක්ෂේත්ර සම්බන්ධතාවය: E = −dV/dr පැහැදිලි කරන්න.
ස්ථාන සම්පූර්ණිකරණ නියමය (Superposition) ක්ෂේත්රයට යෙදීම පැහැදිලි කරන්න.
හිස් වාහකයක (Hollow conductor) ඇතුළත E = 0 වීමේ හේතුව.
පාඩම 6.3 – විද්යුත් විභවය හා විභව ශක්තිය
පදනම (Q1–5)
විද්යුත් විභවය (Potential) යනු කුමක්ද?
V = W/q සූත්රය state කරන්න.
විභවයේ SI ඒකකය කුමක්ද?
විභව ශක්තිය යනු කුමක්ද?
විභව වෙනස (Potential difference) යනු කුමක්ද?
අතරමැදි (Q6–10)
Q ආරෝපණයෙන් r දුරේ V සොයන්න.
විභව සහ ක්ෂේත්රය අතර වෙනස.
සමවිභව මතුපිට (Equipotential surfaces) අඳින්න.
සමවිභව මතුපිට לאורך ගමන් කළ විට කාර්යය සිදු නොවන්නේ ඇයි?
විද්යුත් ක්ෂේත්රයක විභව ශක්තිය සොයන්න.
උසස් (Q11–15)
V = kQ/r සූත්රය ව්යුත්පන්න කරන්න.
බහු ආරෝපණ සඳහා සම්පූර්ණ විභවය සොයන්න.
E = −dV/dr භාවිතයෙන් විද්යුත් ක්ෂේත්රය සොයන්න.
ඩයිපෝලයේ විභව බෙදාහැරීම විශ්ලේෂණය කරන්න.
කැපසිය පූර්ණය (Capacitor energy) විභවය මඟින් සොයන්න.
පාඩම 6.4 – විද්යුත් ප්රවාහය සහ ගොස් නියමය
පදනම (Q1–5)
විද්යුත් ප්රවාහය (Electric flux) යනු කුමක්ද?
Φ = EA cosθ සූත්රය state කරන්න.
ගොස් නියමය යනු කුමක්ද?
ප්රවාහයේ SI ඒකකය කුමක්ද?
ගොස් මතුපිට (Gaussian surface) උදාහරණයක්.
අතරමැදි (Q6–10)
නිශ්චිත A මතුපිටක E ක්ෂේත්රය සඳහා Φ සොයන්න.
ගොස් නියමය භාවිතා කරන්නේ Symmetry ඇති අවස්ථාවල. පැහැදිලි කරන්න.
අසීමිත රේඛා ආරෝපණය සඳහා ගොස් නියමය යොදා E සොයන්න.
වසා ඇති මතුපිටක Φ අතුළත් ආරෝපණයෙන් පමණක් සම්බන්ධ වන්නේ කෙසේද?
එකම ආරෝපණය වටා රෙදි වෙනස් ගෝල මතුපිටවල Φ සසඳන්න.
උසස් (Q11–15)
රේඛා ආරෝපණය සඳහා E = λ/2πεr ව්යුත්පන්න කරන්න.
අසීමිත තල ආරෝපණය සඳහා E සොයන්න.
ගොළයෙන් සමන්විත ඝන කැබලි තුළ Φ විශ්ලේෂණය කරන්න.
අක්රමවත් හැඩයක ගොස් නියමයේ සීමාවන් පැහැදිලි කරන්න.
බහු ආරෝපණ බෙදාහැරීම් සඳහා සුදුසු ගොස් මතුපිට තේරීම සහ විසඳුම්.
පාඩම 6.5 – කැපසිය සහ ධාරිතාව
පදනම (Q1–5)
ධාරිතාව (Capacitance) යනු කුමක්ද?
C = Q/V සූත්රය state කරන්න.
ඩයලෙක්ට්රික් ද්රව්ය යනු කුමක්ද?
ධාරිතාවයේ SI ඒකකය කුමක්ද?
සමාන්තර තල කැපසිය යනු කුමක්ද?
අතරමැදි (Q6–10)
C = εA/d සූත්රය ව්යුත්පන්න කරන්න.
ඩයලෙක්ට්රික් ඇතුල් කිරීමෙන් C වැඩි වන්නේ ඇයි?
කැපසියේ ස ංග්රහිත ශක්තිය සොයන්න.
සංයුක්ත කැපසිය පද්ධතියක් (combination) විසඳන්න.
උසස් (Q11–15)
Q–V ප්රස්තාරය යටතේ පවතින ප්රමාණයෙන් ශක්ති සූත්රය ව්යුත්පන්න කරන්න.
අර්ධකාල ඩයලෙක්ට්රික් ඇති කැපසියක ධාරිතාව සොයන්න.
කැපසිය ආරෝපණ–අ රෝපණ වක්රය (charging/discharging graphs) ගුණාත්මකව විශ්ලේෂණය කරන්න.
පෙරහන් සර්කියුට් (Filters) තුළ කැපසියන්ගේ භූමිකාව පැහැදිලි කරන්න.
E–ක්ෂේත්රය + ශක්ති ඝණත්වය සම්බන්ධ කැපසිය ප්රශ්නයක් විසඳන්න.
වියාචනය (Disclaimer)
Idasara Academy ඉගෙනුම් සම්පත් නිර්මාණය කර ඇත්තේ සිසුන්ට මගපෙන්වීම, පුහුණුව සහ අධ්යයන උපායමාර්ග ලබාදී සහයෝගය දැක්වීමටය.
කෙසේ වෙතත්, සියලුම විභාග සහ නිල අවශ්යතා සඳහා, සිසුන් අනිවාර්යයෙන්ම ශ්රී ලංකා අධ්යාපන අමාත්යාංශයේ, අධ්යාපන ප්රකාශන දෙපාර්තමේන්තුව විසින් ප්රකාශයට පත් කරන ලද නිල පෙළපොත් සහ සම්පත් පරිශීලනය කළ යුතුය.
ජාතික විභාග සඳහා අන්තර්ගතයේ නිල බලය ලත් මූලාශ්රය වනුයේ රජය විසින් නිකුත් කරනු ලබන මෙම ප්රකාශනයි.